Szilícium-karbid hordozó gyártási folyamata

A szilícium-karbid szubsztrát gyártási folyamata főként a következő lépésekből áll: Az első a szilícium-karbid polikristályos porrá történő előállítása, a részecskeméret és a tisztaság közvetlenül befolyásolja a kristály minősége. A második az oltókristályok kiválasztása A magkristályok a kristálynövekedés szubsztrátjai, biztosítják a kristálynövekedés alapvető rácsszerkezetét, és befolyásolják a kristály minőségét is. Ezután következik a kristálynövekedés, amely a SiC szubsztrát előállításának fő folyamata. A fő módszerek közé tartozik a fizikai gőzáteresztési módszer, a magas hőmérsékletű kémiai gőzleválasztási módszer és a folyadékfázisú módszer. Ezután következik a tuskófeldolgozás, amelyet röntgensugaras egykristály-orientátoron keresztül orientálnak, majd köszörülnek és lekerekítenek, eltávolítják a magkristály felületét, eltávolítják a kupola felületét, és a szilícium-karbid kristályt szabványos átmérőjűvé dolgozzák fel. Ezután következik a kristályvágás, ahol a kinőtt kristályokat lapokra vágják, mivel a szilícium-karbid keménysége a második a gyémánt után, és nagyon kemény és törékeny anyag, a vágási folyamat hosszú időt vesz igénybe, és könnyen szétszedhető. A vágási módszerek főként habarcshuzalvágást, gyémánthuzalos többhuzalos vágást és lézeres besugárzásos hámozást foglalnak magukban. A következő lépés az ostya csiszolása és polírozása, hogy az aljzat felületét atomosan sima síkra dolgozzák fel. Az általánosan használt csiszolóanyagok közé tartozik a bór-karbid, a gyémánt és más nagy keménységű csiszolóanyagok. Az utolsó lépés az ostyatisztítási ellenőrzés, amely a feldolgozás során visszamaradt részecskék és fémszennyeződések eltávolítására és átfogó minőségellenőrzésre szolgál.