Процес виробництва підкладки з карбіду кремнію

Процес виробництва підкладки з карбіду кремнію в основному включає наступні етапи: підготовка сировини до порошку полікристалічних частинок SiC у співвідношенні 1:1. Його розмір і чистота безпосередньо впливатимуть якість кришталю. По-друге, це відбір затравкових кристалів, які є основою для росту кристалів, забезпечуючи основну структуру решітки для росту кристалів, а також впливаючи на якість кристалів. Потім є вирощування кристалів, що є основним процесом виробництва підкладки SiC, включаючи метод фізичного паропроникнення, метод високотемпературного хімічного осадження з парової фази. Далі відбувається обробка злитка, який орієнтують через рентгенівський монокристалічний орієнтатор, потім шліфують і округлюють, поверхню затравкового кристала видаляють, поверхню купола видаляють, а кристал карбіду кремнію обробляють до стандартного діаметру. Потім відбувається різання кристалів, коли вирощені кристали розрізають на листи, оскільки твердість карбіду кремнію поступається лише алмазу, і це дуже твердий і крихкий матеріал, процес різання займає тривалий час і його легко розколоти. Методи різання в основному включають різання розчином, багатодротове різання алмазним дротом і лазерне лущення. Далі відбувається шліфування та полірування поверхні підкладки до атомарно гладкої площини. Зазвичай використовувані абразиви включають карбід бору, алмаз та інші абразиви високої твердості. Останнім кроком є ​​перевірка очищення пластини, яка використовується для видалення залишкових часток і металевих домішок під час обробки та проведення комплексного контролю якості.