Silicio karbido substrato gamybos procesas

Silicio karbido substrato gamybos procesą daugiausia sudaro šie etapai: Pirmasis yra žaliavų paruošimas, kurį reikia sintetinti į SiC polikristalinių dalelių miltelius santykiu 1:1. Jo dalelių dydis ir grynumas kristalo kokybė. Antrasis – sėklinių kristalų pasirinkimas. Tada yra kristalų augimas, kuris yra pagrindinis SiC substrato gamybos procesas. Pagrindiniai metodai apima fizinį garų perdavimo metodą, aukštos temperatūros cheminį garų nusodinimo metodą ir skystosios fazės metodą. Kitas yra luitų apdorojimas, kuris orientuojamas per rentgeno monokristalinį orientatorių, tada šlifuojamas ir suapvalintas, pašalinamas sėklinio kristalo paviršius, pašalinamas kupolo paviršius, o silicio karbido kristalas apdorojamas į standartinio skersmens dydį. Tada vyksta kristalų pjaustymas, kai išaugę kristalai supjaustomi lakštais. Kadangi silicio karbidas yra antras pagal kietumą po deimantų ir yra labai kieta ir trapi medžiaga, pjovimo procesas užtrunka ilgai ir lengvai suskaidomas. Pjovimo metodai daugiausia apima vielos pjovimą skiediniu, deimantinės vielos kelių laidų pjovimą ir švitinimo lazeriu. Kitas yra šlifavimas ir poliravimas, siekiant apdoroti pagrindo paviršių iki atomiškai lygaus. Dažniausiai naudojami abrazyvai yra boro karbidas, deimantas ir kiti didelio kietumo abrazyvai. Paskutinis žingsnis yra plokštelių valymo patikra, kuri naudojama perdirbant likusias daleles ir metalo nešvarumus bei atlieka visapusišką kokybės patikrą.