ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ၏ ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် အဓိကအားဖြင့် အောက်ပါအဆင့်များ ပါဝင်သည်- ပထမအချက်မှာ ကုန်ကြမ်းပစ္စည်းများကို Si နှင့် C ၏ အချိုးအစားဖြစ်သော SiC polycrystalline အမှုန့်အဖြစ် ပေါင်းစပ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ crystal အရည်အသွေး။ ဒုတိယအချက်မှာ အစေ့သလင်းကျောက်များကို ရွေးချယ်ခြင်းသည် သလင်းကျောက်ကြီးထွားမှုအတွက် အလွှာတစ်ခုဖြစ်ပြီး၊ ကြည်လင်ကြီးထွားမှုအတွက် အခြေခံရာဇမတ်ကွက်ဖွဲ့စည်းပုံနှင့် ပုံဆောင်ခဲအရည်အသွေးကို ထိခိုက်စေပါသည်။ ထို့နောက် SiC အလွှာထုတ်လုပ်မှု၏ အဓိက လုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်သည့် ပုံသဏ္ဍာန် ကြီးထွားမှု ရှိလာသည် နောက်တစ်ဆင့်မှာ X-ray single crystal orientator မှတစ်ဆင့် မြေပြင်နှင့် လုံးဝန်းသော၊ အစေ့ပုံသဏ္ဍန်မျက်နှာပြင်ကို ဖယ်ရှားပြီး၊ အမိုးခုံးမျက်နှာပြင်ကို ဖယ်ရှားပြီး ဆီလီကွန်ကာဘိုင်သလင်းကျောက်ကို စံအချင်းအရွယ်အစားအဖြစ် လုပ်ဆောင်ပါသည်။ . ထို့နောက်တွင် ကြီးထွားလာသော crystals များကို အချပ်များအဖြစ် ဖြတ်ခြင်းတွင် စီလီကွန်ကာဗိုက်သည် စိန်ထက်မာကျောပြီး အလွန်မာကျောပြီး ကြွပ်ဆတ်သော ပစ္စည်းဖြစ်သောကြောင့် ဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် အချိန်ကြာမြင့်ပြီး အကွဲကွဲအပြားပြားဖြစ်နိုင်ချေရှိသည်။ ဖြတ်တောက်ခြင်းနည်းလမ်းများတွင် အဓိကအားဖြင့် မော်တာဝါယာကြိုးဖြတ်တောက်ခြင်း၊ စိန်ဝါယာကြိုးပေါင်းများစွာ ဖြတ်တောက်ခြင်းနှင့် လေဆာရောင်ခြည်ဖြာထွက်ခြင်းတို့ ပါဝင်သည်။ နောက်တစ်ခုကတော့ အနုမြူမျက်နှာပြင်ကို အက်တမ်ချောချောမွေ့မွေ့ဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်ဖို့အတွက် ဘိုရွန်ကာဗိုက်၊ စိန်နဲ့ တခြား မာကျောတဲ့ ပွန်းပဲ့တာတွေ ပါဝင်ပါတယ်။ နောက်ဆုံးအဆင့်မှာ လုပ်ဆောင်နေစဉ်အတွင်း ကျန်ရှိသော အမှုန်အမွှားများနှင့် သတ္တုအညစ်အကြေးများကို ဖယ်ရှားရန်နှင့် ပြီးပြည့်စုံသော အရည်အသွေးစစ်ဆေးခြင်းကို လုပ်ဆောင်ရန် နောက်ဆုံးအဆင့်မှာ wafer သန့်ရှင်းရေးစစ်ဆေးခြင်း ဖြစ်သည်။