عملية إنتاج الركيزة كربيد السيليكون

تشتمل عملية إنتاج ركيزة كربيد السيليكون بشكل أساسي على الخطوات التالية: الأول هو تحضير المواد الخام التي يجب تصنيعها من Si وC إلى مسحوق جسيمات متعدد البلورات SiC بنسبة 1:1، وسيؤثر حجم جسيماتها ونقاوتها بشكل مباشر جودة الكريستال. والثاني هو اختيار بلورات البذور هي الركيزة الأساسية لنمو البلورات، مما يوفر بنية شبكية أساسية لنمو البلورات وتؤثر أيضًا على جودة البلورات. ثم هناك نمو بلوري، وهو العملية الأساسية لإنتاج ركيزة SiC. وتشمل الطرق الرئيسية طريقة نقل البخار الفيزيائي، وطريقة ترسيب البخار الكيميائي عالي الحرارة وطريقة الطور السائل. بعد ذلك، يتم معالجة السبائك، والتي يتم توجيهها من خلال موجه بلوري فردي بالأشعة السينية، ثم يتم طحنها وتقريبها، ويتم إزالة سطح بلورة البذور، ويتم إزالة سطح القبة، وتتم معالجة بلورة كربيد السيليكون إلى حجم قطر قياسي. ثم هناك قطع البلورات، حيث يتم تقطيع البلورات المزروعة إلى صفائح نظرًا لأن صلابة كربيد السيليكون تأتي في المرتبة الثانية بعد الماس وهي مادة شديدة الصلابة والهشاشة، فإن عملية القطع تستغرق وقتًا طويلاً ومن السهل أن تتشقق. تشمل طرق القطع بشكل أساسي قطع سلك الملاط وقطع الأسلاك الماسية المتعددة وتقشير التشعيع بالليزر. التالي هو طحن وتلميع الرقاقة لمعالجة سطح الركيزة إلى مستوى ناعم ذريًا. تشمل المواد الكاشطة شائعة الاستخدام كربيد البورون والماس والمواد الكاشطة الأخرى عالية الصلابة. الخطوة الأخيرة هي فحص تنظيف الرقاقة، والذي يستخدم لإزالة الجسيمات المتبقية والشوائب المعدنية أثناء المعالجة وإجراء فحص الجودة الشامل.