فرآیند تولید بستر کاربید سیلیکون

فرآیند تولید زیرلایه کاربید سیلیکون عمدتاً شامل مراحل زیر است: اولین مرحله آماده‌سازی مواد خام است که باید به صورت پودر ذرات SiC در نسبت 1:1 سنتز شوند کیفیت کریستال دوم انتخاب کریستال های بذر است که کریستال های بذر بستری برای رشد کریستال ها هستند که یک ساختار شبکه ای اساسی برای رشد کریستال فراهم می کنند و همچنین بر کیفیت کریستال تاثیر می گذارند. سپس رشد کریستال وجود دارد که فرآیند اصلی تولید بستر SiC است. روش های اصلی شامل روش انتقال فاز بخار فیزیکی، روش رسوب شیمیایی بخار با دمای بالا و روش فاز مایع است. مرحله بعدی پردازش شمش است که از طریق یک جهت دهنده تک کریستالی اشعه ایکس جهت گیری می شود، سپس آسیاب و گرد می شود، سطح کریستال دانه برداشته می شود، سطح گنبد برداشته می شود و کریستال کاربید سیلیکون به اندازه قطر استاندارد پردازش می شود. سپس برش کریستال وجود دارد، جایی که کریستال های رشد یافته به صورت ورقه ای بریده می شوند، از آنجایی که کاربید سیلیکون از نظر سختی پس از الماس در رتبه دوم قرار دارد و یک ماده بسیار سخت و شکننده است، فرآیند برش زمان زیادی می برد و مستعد تکه تکه شدن است. روش های برش عمدتاً شامل برش سیم ملات، برش چند سیم سیم الماس و لایه برداری با تابش لیزر است. مرحله بعدی سنگ زنی و صیقل دادن ویفر برای پردازش سطح زیرلایه به یک صفحه صاف اتمی است. آخرین مرحله بازرسی تمیز کردن ویفر است که برای حذف ذرات باقیمانده و ناخالصی های فلزی در طول پردازش و انجام بازرسی جامع کیفیت استفاده می شود.