תהליך ייצור מצע סיליקון קרביד

תהליך הייצור של מצע סיליקון קרביד כולל בעיקר את השלבים הבאים: הראשון הוא הכנת חומרי גלם Si ו-C צריך להיות מסונתז לאבקת חלקיקים polycrystalline SiC ביחס של 1:1 גודל החלקיקים שלה ישפיע ישירות איכות הקריסטל. השני הוא הבחירה של גבישי זרעים הם המצע לצמיחת גבישים, המספקים מבנה סריג בסיסי לצמיחת גבישים ומשפיעים גם על איכות הגביש. לאחר מכן יש צמיחת גבישים, שהוא תהליך הליבה של ייצור מצע SiC השיטות העיקריות כוללות שיטת העברת אדים פיזית, שיטת השקעת אדים בטמפרטורה גבוהה ושיטת פאזה נוזלית. לאחר מכן הוא עיבוד המטיל, אשר מכוון דרך מכוון גביש יחיד בקרני רנטגן, ולאחר מכן טחון ומעוגל, משטח גביש הזרע מוסר, משטח הכיפה מוסר, וגבישי הסיליקון קרביד מעובדים לגודל קוטר סטנדרטי. לאחר מכן יש חיתוך קריסטל, שבו חותכים את הגבישים הגדלים ליריעות מכיוון שהקשיות של סיליקון קרביד היא שנייה רק ​​ליהלום והוא חומר קשה ושביר מאוד, תהליך החיתוך אורך זמן רב וקל לפיצול. שיטות החיתוך כוללות בעיקר חיתוך חוטי טיט, חיתוך רב חוטי חוטי יהלום וקילוף קרינת לייזר. לאחר מכן, השחזה והברקה של פרוסות כדי לעבד את פני המצע למישור חלק אטומית. חומרי השיוף הנפוצים כוללים בורון קרביד, יהלום וחומרי שוחקים אחרים בעלי קשיות גבוהה. השלב האחרון הוא בדיקת ניקוי פרוסות, המשמשת להסרת שאריות של חלקיקים וזיהומי מתכת במהלך העיבוד וביצוע בדיקת איכות מקיפה.