Proceso producción sustrato carburo de silicio rehegua

Pe proceso de producción sustrato carburo de silicio rehegua oguereko principalmente ko a etapa: Peteîha ha e pe preparación materia prima rehegua Si ha C oikotevê oñesintetiza polvo de partícula policristalina SiC-pe peteî relación 1:1-pe Ipartícula tuichakue ha ipotîva ohypýita directamente pe calidad cristal rehegua. Mokõiha ha'e pe jeporavo cristal semilla rehegua Umi cristal semilla rehegua ha'e pe sustrato okakuaa haguã cristal, ome'êva estructura básica de rejilla okakuaa haguã cristal ha avei ohypýiva calidad cristal. Upéi oî cristal okakuaa, ha'éva proceso núcleo producción sustrato SiC Umi método principal oime método de transmisión física vapor, método deposición química de vapor temperatura yvate ha método fase líquida. Pe paso oúva ha e pe procesamiento lingote rehegua, oñeorientáva orientador de cristal único rayos X rupive, upéi oñembojy ha oñembojere, ojeipe a pe superficie cristal semilla rehegua, ojeipe a pe superficie cúpula rehegua, ha oñeprocesa pe cristal carburo de silicio rehegua petet tamaño diámetro estándarpe . Upéi ojejapo pe corte de cristal, upépe oñeikytĩ umi cristal okakuaáva chapa-pe, pe carburo de silicio oĩgui mokõiha diamante rire ha haʼe peteĩ material hatã ha frágil, pe proceso de corte ipuku ha ikatu oñefragmenta. Umi método de corte oike principalmente alambre de mortero corte, alambre de diamante corte multi-alambre ha peeling irradiación láser. Upe rire ojejapo molienda ha pulido oblea rehegua oñeprocesa hagua superficie sustrato rehegua petet plano atómicamente lisovape Umi abrasivo ojeporúva jepi ha e carburo de boro, diamante ha ambue abrasivo de alta dureza. Ipahaitépe ha'e inspección ñemopotî oblea, ojeporúva ojeipe'a haguã partícula residual ha impureza metálica procesamiento jave ha omotenondévo inspección integral calidad.