Phase-II-Projekt der Siliziumkarbid-Produktionsbasis von Beijing Tianke Heda Semiconductor beginnt

Der Bau der zweiten Phase der Siliziumkarbid-Produktionsbasis von Beijing Tianke Heda Semiconductor hat begonnen. Die Gesamtinvestition in dieses Projekt beträgt 2 Milliarden Yuan. Die Fertigstellung wird für 2024 bis 2025 erwartet. Nach der Fertigstellung ist geplant, Prozessausrüstung wie Kristallwachstum und zusätzliche Kristallverarbeitung, Waferverarbeitung, Reinigung und Prüfung zu kaufen und eine neue Produktionslinie für 6 und 8 Zoll Siliziumkarbidsubstrate zu bauen.