Beijing Tianke Heda Semiconductor Silicon Carbide Production Base Phase II Project Starts
Crystal Optoelectronics
2024
2025
Si
Pro
Semi
Si
Peking
kafen
Zoll
Prozess
Wafer
Prozess
Ofschloss
Botzen
Bau
Substrat
Prozess
Substrat
Tianke Heda
2024-12-26 23:20
0
De Bau vun der zweeter Phase vun der Siliziumkarbidproduktiounsbasis vu Peking Tianke Heda Semiconductor huet ugefaang. Et gëtt erwaart ofgeschloss vun 2024 bis 2025. Nom Ofschloss ass et geplangt fir Prozessausrüstung wéi Kristallwachstum an Niewekristallveraarbechtung, Waferveraarbechtung, Botzen an Testen ze kafen an eng nei 6 & 8-Zoll Siliciumcarbid-Substratproduktiounslinn ze bauen.
