Начинается второй этап проекта второй фазы производства полупроводниковой базы карбида кремния в Пекине в Тяньке Хэда

Началось строительство второй очереди базы по производству карбида кремния компании Beijing Tianke Heda Semiconductor. Общий объем инвестиций в этот проект составляет 2 миллиарда юаней. Ожидается, что он будет завершен в период с 2024 по 2025 год. После завершения планируется приобрести технологическое оборудование, такое как выращивание кристаллов и вспомогательная обработка кристаллов, обработка, очистка и тестирование пластин, а также построить новую линию по производству 6 и 8-дюймовых подложек из карбида кремния.