Projeto de material de silício de alta pureza de grau semicondutor Changgeng Jinjing inicia construção no Parque Industrial de Núcleo de Silício de Baixo Carbono de Shuozhou

Em 11 de abril, o projeto de material de silício de alta pureza de grau semicondutor Changgeng Jinjing realizou uma cerimônia inovadora no Parque Industrial de Núcleo de Silício de Baixo Carbono de Shuozhou. O secretário do Comitê Municipal do Partido, Jiang Siqing, participou da cerimônia de inauguração e anunciou o início do projeto. O projeto tem um investimento total de US$ 135 milhões e deverá produzir anualmente 100 mil toneladas de silício semicondutor de alta pureza.