Проект Changgeng Jinjing із напівпровідникового високочистого кремнієвого матеріалу розпочинає будівництво в промисловому парку Shuozhou Low-Corbon Silicon Core

11 квітня в індустріальному парку Shuozhou Low-Corbon Silicon Core відбулася церемонія закладки першооснови в проекті Changgeng Jinjing із виробництва напівпровідникових високочистих кремнієвих матеріалів. Секретар муніципального комітету партії Цзян Сіцін відвідав церемонію закладки фундаменту та оголосив про початок проекту. Загальний обсяг інвестицій у проект становить 135 мільйонів доларів США, і очікується, що щорічно буде вироблятися 100 000 тонн напівпровідникового кремнію високої чистоти.