Changgeng Jinjing proyecto material de silicio de alta pureza grado semiconductor oñepyrü construcción Parque Industrial Núcleo de Silicio Bajo Carbono Shuozhou-pe

Ára 11 de abril, proyecto material de silicio de alta pureza grado semiconductor Changgeng Jinjing omotenonde peteî ceremonia de innovación Parque Industrial Núcleo de Silicio Bajo Carbono Shuozhou-pe. Secretario Comité Municipal Partido-gua, Jiang Siqing, oime kuri ceremonia de inversiones ha oikuaauka oñepyrüha proyecto. Ko proyecto oreko inversión total US$ 135 millones ha oñeha'ãrõ oproduci 100.000 tonelada silicio de alta pureza grado semiconductor anualmente.