„Zhengda Semiconductor SiC“ substrato projektas įsikūrė Džedziange, į kurį investuota 1,2 mlrd.

Kovo 31 d., per investicijų skatinimo projekto pasirašymo ceremoniją Tonglu ekonominės plėtros zonoje, Džedziango valstijoje, „Zhengda Semiconductor“ „pjovimo lazeriu įranga ir metinis 1 milijono SiC substrato gamybos projektų gamybos pajėgumas“ buvo oficialiai pasirašytas ir apgyvendintas Tonglu ekonominės plėtros zonoje. „Zhengda Semiconductor“ yra aukštųjų technologijų įmonė, užsiimanti lazerinio pjovimo įrangos moksliniais tyrimais ir plėtra bei visiškai automatinio lazerinio SiC luitų šalinimo ir šlifavimo bei poliravimo veikla. Bendra projekto investicija siekia 1,2 milijardo juanių, o bendra produkcijos vertė per penkerius metus nuo 2025 iki 2029 m. bus ne mažesnė nei 2,2 milijardo juanių.