Zhengda Semiconductor SiC სუბსტრატის პროექტი დასახლდა ჟეჯიანში, ჯამური ინვესტიციით 1.2 მილიარდი იუანი.

31 მარტს, ჟეჯიანში, ტონგლუს ეკონომიკური განვითარების ზონაში, ინვესტიციების ხელშეწყობის პროექტის ხელმოწერის ცერემონიაზე, Zhengda Semiconductor-ის „ლაზერული ჭრის მოწყობილობა და 1 მილიონი SiC სუბსტრატის წარმოების წლიური სიმძლავრე“ ოფიციალურად გაფორმდა და დასახლდა ტონგლუს ეკონომიკური განვითარების ზონაში. Zhengda Semiconductor არის მაღალტექნოლოგიური კომპანია, რომელიც დაკავებულია R&D-ით და ლაზერული ჭრის აღჭურვილობის წარმოებაში და SiC ინგოტების სრულად ავტომატური ლაზერული გაშიშვლების და დაფქვისა და გაპრიალებით. პროექტის ჯამური ინვესტიცია 1,2 მილიარდი იუანია, ხოლო 2025 წლიდან 2029 წლამდე ხუთი წლის განმავლობაში გამომავალი კუმულაციური ღირებულება იქნება არანაკლებ 2,2 მილიარდი იუანი.