Продуктивність інтегрованої мікросхеми SiC MOS автомобільного рівня Xinlian досягла провідного світового рівня

Інтегрована мікросхема SiC MOS автомобільного класу Xinlian пройшла швидку ітерацію, і її продуктивність досягла провідного світового рівня. Мікросхема пройшла перевірку на надійність AQG-324, динамічний HTGB, динамічний HTRB і динамічний H3TRB і має високу надійність.