Das SiC-Substratprojekt und das Pulverprojekt von Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. haben die Abnahmeprüfung erfolgreich bestanden

Kürzlich haben das SiC-Substratprojekt und das Pulverprojekt von Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. die Abnahmeprüfung erfolgreich bestanden. Das SiC-Substratprojekt ist das Bauprojekt der dritten Phase der ersten SiC-Substratproduktionslinie des Unternehmens in der Baoding National High-Tech Industrial Development Zone. Nach fast siebenjähriger Entwicklungszeit wurde die Abnahmeprüfung im Februar 2024 erfolgreich abgeschlossen und die Produktionslinie ist damit vollständig in Produktion gegangen.