O projeto de substrato SiC e projeto de pó da Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. passou com sucesso na inspeção de aceitação

Recentemente, o projeto de substrato SiC e o projeto de pó da Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. foram aprovados com sucesso na inspeção de aceitação. O projeto de substrato de SiC é a terceira fase do projeto de construção da primeira linha de produção de substrato de SiC da empresa, localizada na Zona Nacional de Desenvolvimento Industrial de Alta Tecnologia de Baoding. Após quase sete anos de desenvolvimento, a inspeção de aceitação foi concluída com sucesso em fevereiro de 2024, marcando que a linha de produção foi totalmente colocada em produção.