Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.:n piikarbidisubstraattiprojekti ja jauheprojekti läpäisivät hyväksymistarkastuksen.

Äskettäin Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.:n piikarbidisubstraattiprojekti ja jauheprojekti läpäisivät hyväksymistarkastuksen. SiC-substraattiprojekti on kolmannen vaiheen rakennusprojekti yhtiön ensimmäisestä piikarbidi-substraattituotantolinjasta, joka sijaitsee Baoding National High-tech Industrial Development Zone -alueella. Lähes seitsemän vuoden kehitystyön jälkeen vastaanottotarkastus saatiin onnistuneesti päätökseen helmikuussa 2024, mikä merkitsi, että tuotantolinja on otettu kokonaan tuotantoon.