El proyecto de sustrato de SiC y el proyecto de polvo de Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. pasaron con éxito la inspección de aceptación.

Recientemente, el proyecto de sustrato de SiC y el proyecto de polvo de Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. pasaron con éxito la inspección de aceptación. El proyecto de sustrato de SiC es la tercera fase del proyecto de construcción de la primera línea de producción de sustrato de SiC de la compañía, ubicada en la Zona Nacional de Desarrollo Industrial de Alta Tecnología de Baoding. Después de casi siete años de desarrollo, la inspección de aceptación se completó con éxito en febrero de 2024, lo que marcó que la línea de producción se había puesto completamente en producción.