De SiC Substratprojet a Pudderprojet vun Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.
2024
Jo
Si
Pro
Semi
Si
Baoding
Jo
Hebei
Bau
Substrat
Substrat
Joer
SiC
Entwécklung
Produktioun
Produktioun
2024-12-27 00:40
0
Viru kuerzem ass de SiC Substratprojet a Pudderprojet vun Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. De SiC Substratprojet ass den drëtte Phase Bauprojet vun der Firma senger éischter SiC Substratproduktiounslinn, an der Baoding National High-Tech Industrial Development Zone. No bal siwe Joer Entwécklung gouf d'Akzeptanzinspektioun am Februar 2024 erfollegräich ofgeschloss, wat markéiert datt d'Produktiounslinn komplett a Produktioun gesat gouf.
