Projekt substrata SiC in projekt praška družbe Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. je uspešno prestal sprejemni pregled

Pred kratkim sta projekt substrata SiC in projekt prahu podjetja Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. uspešno opravila sprejemni pregled. Projekt substrata SiC je tretja faza gradbenega projekta prve linije podjetja za proizvodnjo substrata SiC, ki se nahaja v nacionalni visokotehnološki industrijski razvojni coni Baoding. Po skoraj sedmih letih razvoja je bil prevzemni pregled uspešno zaključen februarja 2024, kar pomeni, da je bila proizvodna linija v celoti dana v proizvodnjo.