Projekt podłoża SiC i projekt proszku firmy Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. pomyślnie przeszły kontrolę odbiorczą

Niedawno projekt podłoża SiC i projekt proszku firmy Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. pomyślnie przeszły kontrolę odbiorczą. Projekt podłoża SiC to trzeci etap budowy pierwszej linii produkcyjnej podłoża SiC zlokalizowanej w krajowej strefie rozwoju przemysłu zaawansowanych technologii w Baoding. Po prawie siedmiu latach prac rozwojowych w lutym 2024 r. pomyślnie zakończono kontrolę odbiorczą, co oznacza, że ​​linia produkcyjna została w pełni uruchomiona.