A Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. SiC szubsztrát projektje és porprojektje sikeresen átment az átvételi ellenőrzésen

A közelmúltban a Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. SiC szubsztrát projektje és porprojektje sikeresen átment az átvételi ellenőrzésen. A SiC szubsztrát projekt a vállalat első SiC szubsztrát gyártósorának harmadik ütemű építési projektje, amely a Baoding National High-tech Industrial Development Zone-ban található. Közel hét év fejlesztés után 2024 februárjában sikeresen lezárult az átvételi ellenőrzés, ami azt jelzi, hogy a gyártósort teljes mértékben termelésbe állították.