Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. ၏ SiC အလွှာပရောဂျက်နှင့် အမှုန့်ပရောဂျက်သည် လက်ခံစစ်ဆေးခြင်းကို အောင်မြင်စွာ အောင်မြင်ခဲ့သည်။

မကြာသေးမီက၊ Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. ၏ SiC အလွှာပရောဂျက်နှင့် အမှုန့်ပရောဂျက်သည် လက်ခံစစ်ဆေးခြင်းကို အောင်မြင်စွာ အောင်မြင်ခဲ့သည်။ SiC အလွှာပရောဂျက်သည် Baoding National High-tech Industrial Development Zone တွင်တည်ရှိသော ကုမ္ပဏီ၏ ပထမဆုံး SiC အလွှာထုတ်လုပ်မှုလိုင်း၏ တတိယအဆင့် ဆောက်လုပ်ရေးပရောဂျက်ဖြစ်သည်။ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု ခုနစ်နှစ်နီးပါးအကြာတွင် လက်ခံစစ်ဆေးခြင်းကို 2024 ခုနှစ် ဖေဖော်ဝါရီလတွင် အောင်မြင်စွာ ပြီးစီးခဲ့ပြီး ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းအား အပြည့်အဝ ထုတ်လုပ်မှုအဖြစ် သတ်မှတ်ပေးထားကြောင်း မှတ်သားရပါသည်။