Matagumpay na naipasa ng SiC substrate project at powder project ng Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. ang acceptance inspection

Kamakailan, matagumpay na naipasa ng SiC substrate project at powder project ng Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. ang acceptance inspection. Ang SiC substrate project ay ang ikatlong yugto ng construction project ng unang SiC substrate production line ng kumpanya, na matatagpuan sa Baoding National High-tech Industrial Development Zone. Matapos ang halos pitong taon ng pag-unlad, ang inspeksyon sa pagtanggap ay matagumpay na nakumpleto noong Pebrero 2024, na minarkahan na ang linya ng produksyon ay ganap na nailagay sa produksyon.