نجح مشروع الركيزة SiC ومشروع المسحوق لشركة Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. في اجتياز فحص القبول بنجاح

في الآونة الأخيرة، نجح مشروع الركيزة SiC ومشروع المسحوق التابع لشركة Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. في اجتياز فحص القبول. مشروع ركيزة SiC هو مشروع بناء المرحلة الثالثة لأول خط إنتاج ركيزة SiC للشركة، والذي يقع في منطقة Baoding الوطنية للتنمية الصناعية ذات التقنية العالية. وبعد ما يقرب من سبع سنوات من التطوير، تم الانتهاء من فحص القبول بنجاح في فبراير 2024، مما يشير إلى أن خط الإنتاج قد دخل حيز الإنتاج بالكامل.