普興電子投資3.5億擴大SiC外延片生產能力

普興電子宣布投資3.5億元用於擴大6吋SiC外延片的生產能力。本工程計畫興建面積約4,000平方公尺的生產線，併購置116台(套)SiC外延及相關設備。預計建成後，公司將達成年產24萬片SiC外延片的目標。普興電子自2016年開始研發SiC，並於2019年達到6吋SiC外延片的量產。目前，該公司主要生產1200V MOS產品，已通過車規級驗證，應用於新能源車主驅動模組。普興電子計畫加快8吋SiC外延的擴產步伐，並佈置第四代半導體材料的研發。