Puxing Electronics investiert 350 Millionen, um die Produktionskapazität für SiC-Epitaxiewafer zu erweitern

Puxing Electronics kündigte eine Investition von 350 Millionen Yuan zur Erweiterung der Produktionskapazität von 6-Zoll-SiC-Epitaxiewafern an. Das Projekt sieht den Bau einer Produktionslinie mit einer Fläche von etwa 4.000 Quadratmetern und den Kauf von 116 Einheiten (Sets) SiC-Epitaxie und zugehöriger Ausrüstung vor. Es wird erwartet, dass das Unternehmen nach der Fertigstellung das Ziel einer jährlichen Produktion von 240.000 SiC-Epitaxiewafern erreichen wird. Puxing Electronics entwickelt seit 2016 SiC und erreichte 2019 die Massenproduktion von 6-Zoll-SiC-Epitaxiewafern. Derzeit produziert das Unternehmen hauptsächlich 1200-V-MOS-Produkte, die die Fahrzeugregulierungsprüfung bestanden haben und in Hauptantriebsmodulen von Fahrzeugen mit neuer Energie verwendet werden. Puxing Electronics plant, den Ausbau der 8-Zoll-SiC-Epitaxie zu beschleunigen und die Forschung und Entwicklung von Halbleitermaterialien der vierten Generation voranzutreiben.