Puxing Electronics investeert 350 miljoen euro om de productiecapaciteit voor epitaxiale SiC-wafels uit te breiden

Puxing Electronics kondigde een investering aan van 350 miljoen yuan om de productiecapaciteit van 6-inch SiC epitaxiale wafers uit te breiden. Het project is van plan een productielijn te bouwen met een oppervlakte van ongeveer 4.000 vierkante meter en 116 eenheden (sets) SiC-epitaxie en aanverwante apparatuur aan te schaffen. Verwacht wordt dat het bedrijf na voltooiing het doel van een jaarlijkse productie van 240.000 SiC epitaxiale wafers zal bereiken. Puxing Electronics ontwikkelt SiC sinds 2016 en realiseerde in 2019 de massaproductie van 6-inch SiC epitaxiale wafers. Momenteel produceert het bedrijf voornamelijk 1200V MOS-producten, die de verificatie van het voertuigreguleringsniveau hebben doorstaan ​​en worden gebruikt in de hoofdaandrijfmodules van nieuwe energievoertuigen. Puxing Electronics is van plan de uitbreiding van 8-inch SiC-epitaxie te versnellen en het onderzoek en de ontwikkeling van halfgeleidermaterialen van de vierde generatie uit te stippelen.