Puxing Electronics investéiert 350 Milliounen fir d'SiC epitaxial Wafer Produktiounskapazitéit auszebauen

Puxing Electronics huet eng Investitioun vun 350 Milliounen Yuan ugekënnegt fir d'Produktiounskapazitéit vu 6-Zoll SiC epitaxialen Waferen auszebauen. De Projet plangt eng Produktiounslinn mat enger Fläch vu ronn 4.000 Quadratmeter ze bauen an 116 Eenheeten (Sets) SiC Epitaxie a verbonnen Ausrüstung ze kafen. Et gëtt erwaart datt nom Ofschloss d'Firma d'Zil vun der jährlecher Produktioun vun 240.000 SiC epitaxialen Wafere erreechen. Puxing Electronics huet SiC zënter 2016 entwéckelt an huet d'Massproduktioun vu 6-Zoll SiC epitaxialen Waferen am Joer 2019 erreecht. Am Moment produzéiert d'Firma haaptsächlech 1200V MOS Produkter, déi d'Verifizéierung vum Gefierreguléierungsniveau passéiert hunn an an den Haaptfueremodule vun neien Energieautoen benotzt ginn. Puxing Electronics plangt d'Expansioun vun 8-Zoll SiC Epitaxy ze beschleunegen an d'Fuerschung an d'Entwécklung vu véierter Generatioun Hallefleitmaterialien auszeleeën.