Puxing Electronics investē 350 miljonus, lai paplašinātu SiC epitaksiālo plāksnīšu ražošanas jaudu

Puxing Electronics paziņoja par investīcijām 350 miljonu juaņu apmērā, lai paplašinātu 6 collu SiC epitaksiālo vafeļu ražošanas jaudu. Projekta ietvaros plānots uzbūvēt ražošanas līniju aptuveni 4000 kvadrātmetru platībā un iegādāties 116 SiC epitaksijas vienības (komplektus) un ar to saistītās iekārtas. Paredzams, ka pēc pabeigšanas uzņēmums sasniegs mērķi gadā saražot 240 000 SiC epitaksiālo vafeļu. Puxing Electronics ir izstrādājis SiC kopš 2016. gada un 2019. gadā panācis 6 collu SiC epitaksiālo vafeļu masveida ražošanu. Šobrīd uzņēmums galvenokārt ražo 1200V MOS produktus, kas ir izgājuši transportlīdzekļu regulēšanas līmeņa pārbaudi un tiek izmantoti jauno enerģijas transportlīdzekļu galvenajos piedziņas moduļos. Puxing Electronics plāno paātrināt 8 collu SiC epitaksijas izplatību un izstrādāt ceturtās paaudzes pusvadītāju materiālu izpēti un izstrādi.