Puxing Electronics investeerib 350 miljonit, et laiendada SiC epitaksiaalsete vahvlite tootmisvõimsust

Puxing Electronics teatas 350 miljoni jüaani suurusest investeeringust, et laiendada 6-tolliste SiC epitaksiaalplaatide tootmisvõimsust. Projektiga on plaanis ehitada ligikaudu 4000 ruutmeetri suurune tootmisliin ning osta 116 ühikut (komplekti) SiC epitaksi ja sellega seotud seadmeid. Eeldatakse, et pärast valmimist saavutab ettevõte eesmärgi toota aastas 240 000 SiC epitaksiaalset vahvlit. Puxing Electronics on SiC arendanud alates 2016. aastast ja saavutas 2019. aastal 6-tolliste SiC epitaksiaalplaatide masstootmise. Praegu toodab ettevõte peamiselt 1200 V MOS tooteid, mis on läbinud sõidukite eeskirjad ja mida kasutatakse uute energiasõidukite põhiajami moodulites. Puxing Electronics kavatseb kiirendada 8-tollise SiC epitaksi laiendamist ning kavandada neljanda põlvkonna pooljuhtmaterjalide uurimis- ja arendustööd.