Puxing Electronics đầu tư 350 triệu USD để mở rộng năng lực sản xuất wafer epiticular SiC

Puxing Electronics công bố khoản đầu tư 350 triệu nhân dân tệ để mở rộng năng lực sản xuất tấm wafer epiticular SiC 6 inch. Dự án có kế hoạch xây dựng một dây chuyền sản xuất có diện tích khoảng 4.000 mét vuông và mua 116 đơn vị (bộ) epit Wax SiC và các thiết bị liên quan. Dự kiến ​​sau khi hoàn thành, công ty sẽ đạt được mục tiêu sản xuất 240.000 tấm wafer epiticular SiC hàng năm. Puxing Electronics đã phát triển SiC từ năm 2016 và đạt được sản xuất hàng loạt tấm wafer SiC 6 inch vào năm 2019. Hiện tại, công ty chủ yếu sản xuất các sản phẩm MOS 1200V, đã vượt qua quá trình xác minh mức quy định của xe và được sử dụng trong các mô-đun truyền động chính của xe năng lượng mới. Puxing Electronics có kế hoạch đẩy nhanh việc mở rộng epit Wax SiC 8 inch và tiến hành nghiên cứu và phát triển vật liệu bán dẫn thế hệ thứ tư.