Puxing Electronics ลงทุน 350 ล้านเพื่อขยายกำลังการผลิตเวเฟอร์ SiC เอพิเทกเซียล

Puxing Electronics ประกาศลงทุน 350 ล้านหยวนเพื่อขยายกำลังการผลิตเวเฟอร์ SiC epitaxial ขนาด 6 นิ้ว โครงการวางแผนที่จะสร้างสายการผลิตที่มีพื้นที่ประมาณ 4,000 ตารางเมตร และจัดซื้อ SiC epitaxy และอุปกรณ์ที่เกี่ยวข้องจำนวน 116 ยูนิต (ชุด) คาดว่าหลังจากเสร็จสิ้น บริษัทจะบรรลุเป้าหมายการผลิตเวเฟอร์ SiC epitaxis จำนวน 240,000 ชิ้นต่อปี Puxing Electronics พัฒนา SiC มาตั้งแต่ปี 2559 และประสบความสำเร็จในการผลิตเวเฟอร์ SiC epitaxial ขนาด 6 นิ้วจำนวนมากในปี 2562 ปัจจุบัน บริษัทผลิตผลิตภัณฑ์ MOS 1200V เป็นหลัก ซึ่งผ่านข้อกำหนดด้านยานยนต์ และใช้ในโมดูลขับเคลื่อนหลักของรถยนต์พลังงานใหม่ Puxing Electronics วางแผนที่จะเร่งการขยายตัวของ SiC epitaxy ขนาด 8 นิ้ว และวางแผนการวิจัยและพัฒนาวัสดุเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สี่