Puxing Electronics melabur 350 juta untuk mengembangkan kapasiti pengeluaran wafer epitaxial SiC

Puxing Electronics mengumumkan pelaburan sebanyak 350 juta yuan untuk mengembangkan kapasiti pengeluaran wafer epitaxial SiC 6 inci. Projek itu merancang untuk membina barisan pengeluaran dengan keluasan kira-kira 4,000 meter persegi dan membeli 116 unit (set) epitaksi SiC dan peralatan berkaitan. Dijangka selepas siap, syarikat itu akan mencapai matlamat pengeluaran tahunan 240,000 wafer epitaxial SiC. Puxing Electronics telah membangunkan SiC sejak 2016 dan mencapai pengeluaran besar-besaran wafer epitaxial SiC 6 inci pada 2019. Pada masa ini, syarikat terutamanya mengeluarkan produk MOS 1200V, yang telah lulus pengesahan tahap peraturan kenderaan dan digunakan dalam modul pemacu utama kenderaan tenaga baharu. Puxing Electronics merancang untuk mempercepatkan pengembangan epitaksi SiC 8-inci dan menyusun penyelidikan dan pembangunan bahan semikonduktor generasi keempat.