Puxing Electronics 350 میلیون برای توسعه ظرفیت تولید ویفر هم‌زبان SiC سرمایه‌گذاری می‌کند

شرکت Puxing Electronics سرمایه گذاری 350 میلیون یوان را برای توسعه ظرفیت تولید ویفرهای اپیتاکسیال SiC 6 اینچی اعلام کرد. پروژه احداث خط تولید به مساحت تقریبی 4000 متر مربع و خرید 116 واحد (مجموعه) اپیتاکسی SiC و تجهیزات مربوطه در نظر گرفته شده است. انتظار می رود پس از تکمیل، این شرکت به هدف تولید سالانه 240000 ویفر اپیتاکسیال SiC دست یابد. Puxing Electronics از سال 2016 در حال توسعه SiC بوده و در سال 2019 به تولید انبوه ویفرهای اپیتاکسیال SiC 6 اینچی دست یافته است. در حال حاضر، این شرکت عمدتاً محصولات 1200 ولت MOS را تولید می کند که تأیید سطح تنظیم خودرو را گذرانده اند و در ماژول های محرک اصلی خودروهای انرژی جدید استفاده می شوند. Puxing Electronics قصد دارد گسترش اپیتاکسی SiC 8 اینچی را تسریع بخشد و تحقیق و توسعه مواد نیمه هادی نسل چهارم را انجام دهد.