Puxing Electronics belê 350 miljoen om SiC-epitaksiale waferproduksiekapasiteit uit te brei

Puxing Electronics het 'n belegging van 350 miljoen yuan aangekondig om die produksiekapasiteit van 6-duim SiC epitaksiale wafers uit te brei. Die projek beplan om 'n produksielyn met 'n oppervlakte van ongeveer 4 000 vierkante meter te bou en 116 eenhede (stelle) SiC-epitaxy en verwante toerusting aan te koop. Daar word verwag dat die maatskappy na voltooiing die doelwit van jaarlikse produksie van 240 000 SiC epitaksiale wafers sal bereik. Puxing Electronics ontwikkel SiC sedert 2016 en het in 2019 massaproduksie van 6-duim SiC-epitaksiale wafers behaal. Op die oomblik vervaardig die maatskappy hoofsaaklik 1200V MOS-produkte, wat voertuigregulasievlakverifikasie geslaag het en in hoofaandrywingmodules van nuwe energievoertuie gebruik word. Puxing Electronics beplan om die uitbreiding van 8-duim SiC-epitaxy te versnel en die navorsing en ontwikkeling van vierdegenerasie-halfgeleiermateriale uit te lê.