Crescimento da capacidade do substrato SiC avançado Tianyue

A capacidade de produção mensal de substratos de SiC da Tianyue Advanced é de aproximadamente 5.583 peças. A empresa planeja aprovar o projeto de material semicondutor de carboneto de silício e deverá colocar a primeira fase do projeto em produção no terceiro trimestre de 2022 e atingir a produção total em 2026. Até então, terá uma capacidade de produção anual de 300.000 6 substratos condutores de SiC de 2,5 polegadas.