Crescita avanzata della capacità del substrato SiC di Tianyue

La capacità di produzione mensile di substrati SiC di Tianyue Advanced è di circa 5.583 pezzi. L'azienda prevede di superare il progetto relativo al materiale semiconduttore in carburo di silicio e prevede di mettere in produzione la prima fase del progetto nel terzo trimestre del 2022 e di raggiungere la piena produzione nel 2026. Per allora, avrà una capacità produttiva annua di 300.000 6 substrati SiC conduttivi da pollici.