Creșterea capacității de substrat Tianyue Advanced SiC

Capacitatea lunară de producție a substraturilor SiC a Tianyue Advanced este de aproximativ 5.583 de bucăți. Compania intenționează să treacă de proiectul materialului semiconductor din carbură de siliciu și este de așteptat să pună în producție prima fază a proiectului în al treilea trimestru al anului 2022 și să atingă producția completă în 2026. Până atunci, va avea o capacitate de producție anuală de 300.000 6 -substraturi conductoare SiC inch.