Tianyue Advanced SiC substrāta jaudas pieaugums

Tianyue Advanced ikmēneša SiC substrātu ražošanas jauda ir aptuveni 5583 gabali. Uzņēmums plāno izturēt silīcija karbīda pusvadītāju materiālu projektu, un paredzams, ka projekta pirmā fāze tiks nodota ražošanā 2022. gada trešajā ceturksnī un pilnībā ražotu 2026. gadā. Līdz tam laikam tā gada ražošanas jauda būs 300 000 6 -collu vadoši SiC substrāti.