GlobalFoundries は窒化ガリウム半導体の生産を加速するためにさらに 950 万ドルの連邦資金を受け取る

12月4日、GlobalFoundriesは米国バーモント州エセックス・ジャンクションの工場でのGaN-on-Si（GaN）半導体生産を推進するため、米国防総省トラステッド・アクセス・プログラム局（TAPO）から再び950万ドルの連邦資金を受け取った。この資金提供は、バーモント州におけるGFの窒化ガリウムプロジェクトに対する米国政府の最新の投資となる。