GlobalFoundries erhält weitere 9,5 Millionen US-Dollar an Bundesmitteln, um die Produktion von Galliumnitrid-Halbleitern zu beschleunigen

Am 4. Dezember erhielt GlobalFoundries erneut 9,5 Millionen US-Dollar an Bundesmitteln vom Trusted Access Program Office (TAPO) des US-Verteidigungsministeriums, um die GaN-on-Si-Halbleiterproduktion (GaN) in seinem Werk in Essex Junction, Vermont, USA, voranzutreiben. Bei der Finanzierung handelt es sich um die jüngste Investition der US-Regierung in das Galliumnitrid-Projekt von GF in Vermont.