GlobalFoundries recibe otros 9,5 millones de dólares en financiación federal para acelerar la producción de semiconductores de nitruro de galio

El 4 de diciembre, GlobalFoundries recibió una vez más 9,5 millones de dólares en financiación federal de la Oficina del Programa de Acceso Confiable (TAPO) del Departamento de Defensa de EE. UU. para avanzar en la producción de semiconductores de GaN-on-Si en su planta de Essex Junction, Vermont, EE. UU. La financiación es la última inversión del gobierno estadounidense en el proyecto de nitruro de galio de GF en Vermont.