SK Hynix sẽ sử dụng quy trình 3nm của TSMC để sản xuất bộ nhớ HBM4 tùy chỉnh

Theo báo cáo, để đáp ứng nhu cầu của những khách hàng quan trọng, nhà sản xuất chip nhớ Hàn Quốc SK Hynix có kế hoạch sử dụng quy trình 3nm của TSMC để sản xuất bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ sáu HBM4 tùy chỉnh cho khách hàng từ nửa cuối năm 2025. Được biết, SK Hynix đã quyết định hợp tác với TSMC và sẽ ra mắt sản phẩm nguyên mẫu HBM4 xếp chồng theo chiều dọc dựa trên quy trình 3nm của TSMC vào đầu tháng 3 năm sau. Khách hàng chính là NVIDIA. HBM4 sẽ sử dụng Logic Base Die để thay thế DRAM Base Die truyền thống nhằm cải thiện hiệu suất và tiết kiệm năng lượng. Chip cơ sở logic này nằm ở dưới cùng của DRAM và chủ yếu đóng vai trò là bộ điều khiển giữa GPU và bộ nhớ, đồng thời cho phép khách hàng tùy chỉnh thiết kế và thêm tài sản trí tuệ (IP) của riêng họ, giúp tùy chỉnh HBM và cải thiện hơn nữa việc xử lý dữ liệu hiệu quả. Điều này dự kiến ​​sẽ giảm mức tiêu thụ điện năng khoảng 30%.