SK Hynix akan menggunakan proses 3nm TSMC untuk menghasilkan memori HBM4 yang disesuaikan

Menurut laporan, untuk memenuhi kebutuhan pelanggan penting, produsen chip memori Korea Selatan SK Hynix berencana menggunakan proses 3nm TSMC untuk memproduksi memori bandwidth tinggi generasi keenam HBM4 yang disesuaikan untuk pelanggan mulai paruh kedua tahun 2025. Dilaporkan bahwa SK Hynix telah memutuskan untuk bekerja sama dengan TSMC dan akan meluncurkan produk prototipe HBM4 yang ditumpuk secara vertikal berdasarkan proses 3nm TSMC pada awal Maret tahun depan. HBM4 akan menggunakan Logic Base Die untuk menggantikan DRAM Base Die tradisional guna meningkatkan kinerja dan efisiensi energi. Chip dasar logika ini terletak di bagian bawah DRAM dan terutama berfungsi sebagai pengontrol antara GPU dan memori. Hal ini memungkinkan pelanggan untuk menyesuaikan desain dan menambahkan kekayaan intelektual (IP) mereka sendiri, yang membantu menyesuaikan HBM dan lebih meningkatkan Pemrosesan data efisiensi. Hal ini diharapkan dapat mengurangi konsumsi daya sekitar 30%.