Tower Semiconductor brengt nieuwe standaardgieterijproducten voor 300 mm silicium-fotonicaprocessen uit

Tower Semiconductor, een Israëlische gieterij voor hoogwaardige analoge halfgeleideroplossingen, heeft onlangs een nieuw 300 mm siliciumfotonica (SiPho) processtandaardgieterijproduct gelanceerd. Dit nieuwe proces vormt een aanvulling op het bestaande 200 mm (PH18)-platform van Tower, dat al in productie is, om klanten geavanceerde oplossingen te bieden om te voldoen aan de groeiende vraag naar snelle datacommunicatie in datacommunicatietoepassingen van de volgende generatie. De nieuwe 300 mm-producten zijn voorzien van superieure siliciumgolfgeleiders en toonaangevende siliciumnitride-golfgeleiders met laag verlies. De grotere wafergrootte verbetert de compatibiliteit met industriestandaard OSAT-platforms (Outsourced Semiconductor Assembly and Test), terwijl ook een naadloze integratie met elektronische componenten wordt vergemakkelijkt, waardoor de algehele efficiëntie wordt verhoogd.