Tower Semiconductor משחררת מוצרי יציקה חדשים בגודל 300 מ"מ של תהליך פוטוני סיליקון

Tower Semiconductor, מפעל יציקה ישראלית בעלת ערך גבוה לפתרונות מוליכים למחצה אנלוגיים, השיקה לאחרונה מוצר יציקה סטנדרטי של 300 מ"מ סיליקון פוטוניקה (SiPho). תהליך חדש זה משלים את פלטפורמת ה-200 מ"מ (PH18) הקיימת של Tower, שכבר נמצאת בייצור, כדי לספק ללקוחות פתרונות מתקדמים כדי לענות על הדרישה הגוברת לתקשורת נתונים במהירות גבוהה ביישומי תקשורת נתונים מהדור הבא. המוצרים החדשים בגודל 300 מ"מ כוללים מובילי גל סיליקון מעולים ומובילי גל סיליקון ניטריד בעלי אובדן נמוך מהמובילים בתעשייה. גודל הפרוסות הגדול יותר משפר את התאימות עם פלטפורמות OSAT (Outsourced Semiconductor Assembly and Test) הסטנדרטיות בתעשייה, תוך שהוא מקל על אינטגרציה חלקה עם רכיבים אלקטרוניים, ובכך מגדיל את היעילות הכוללת.